[发明专利]一种优化光刻工艺参数的方法有效
| 申请号： | 201811560902.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109491216B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;袁伟;王鹏飞;李琛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化光刻工艺参数的方法，包括如下步骤：S01：利用机器学习模型仿真芯片设计版图的最佳焦距，同时测量实际晶圆制造过程中的在线工艺数据；S02：将上述仿真出来的最佳焦距和测量出来的在线工艺数据相结合，对整片晶圆的光刻结果进行预测，得出预测结果，同时测量晶圆光刻之后的实际结果；S03：将所述预测结果和实际结果进行自动验证，若预测结果与实际结果之间的误差小于阈值，保留该预测结果并进入步骤S04；S04：利用上述保留的预测结果对实际光刻工艺进行参数优化。本发明提供的一种优化光刻工艺参数的方法，自动实现整个光刻工艺参数的优化流程，为实现智能化光刻工艺奠定了基础，具有非常重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 光刻 工艺 参数 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化光刻工艺参数的方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：利用机器学习模型仿真芯片设计版图的最佳焦距，同时测量晶圆实际制造过程中的在线工艺数据；S02：将上述仿真出来的最佳焦距和测量出来的在线工艺数据相结合，对整片晶圆的光刻结果进行预测，得出预测结果，同时测量晶圆光刻之后的实际结果；S03：将所述预测结果和实际结果进行自动验证，若预测结果与实际结果之间的误差小于阈值，保留该预测结果并进入步骤S04；若预测结果与实际结果之间的误差大于等于阈值，则返回步骤S01；S04：利用上述保留的预测结果对实际光刻工艺进行参数优化。
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