[发明专利]一种半导体级挤出成型高纯氧化铝陶瓷产品的制备方法在审
| 申请号： | 201811560925.6 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109574635A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 占克文;马玉琦;高凯;杨盼东;姚相民 | 申请（专利权）人： | 杭州大和江东新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷领域，为解决传统陶瓷挤出成型工艺生产的氧化铝陶瓷不适用于半导体制品的问题，本发明提出了一种半导体级挤出成型高纯氧化铝陶瓷产品的制备方法：将高纯度氧化铝粉料、粘结剂、表面活性剂、溶剂、润滑剂、分散剂搅拌制成泥料；将搅拌好的泥料放入真空炼泥机中搅拌炼泥；真空炼泥后的泥料放置于恒定的温湿度，陈腐；将陈腐后的泥料挤出成型，再经过后处理，作为成品入库。提高了氧化铝陶瓷的纯度，满足了产品符合半导体行业的标准。 | ||
| 搜索关键词： | 挤出成型 泥料 高纯氧化铝陶瓷 氧化铝陶瓷 半导体级 制备 陈腐 高纯度氧化铝 半导体行业 半导体制品 表面活性剂 真空炼泥机 后处理 成品入库 传统陶瓷 工艺生产 陶瓷领域 真空炼泥 分散剂 恒定的 润滑剂 粘结剂 溶剂 放入 粉料 炼泥 | ||
【主权项】：
1.一种半导体级挤出成型高纯氧化铝陶瓷产品的制备方法，其特征在于，所述的制备方法为以下步骤：（1）将高纯度氧化铝粉料、粘结剂、表面活性剂先混合搅拌10～15分钟，再依次倒入溶剂、润滑剂、分散剂搅拌20～30分钟制成泥料；（2）将搅拌好的泥料放入真空炼泥机中搅拌炼泥，真空度达到‑0.09Mpa～‑0.1Mpa的状态下炼泥1～3小时；（3）真空炼泥后的泥料放置于恒定的温湿度，陈腐24～48小时；（4）将陈腐后的泥料挤出成型，再经过后处理，作为成品入库。
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