[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置在审
| 申请号： | 201811561987.9 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110120334A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 佐久间哲也 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体装置的制造方法和半导体装置，即使在使用防反射膜高精度地进行金属膜的构图的情况下，也可防止发生伴随存在防反射膜而在不同种类的金属之间产生的局部电池效应，可防止防反射膜在THB试验等中发生腐蚀，可靠性高。具有如下工序：形成包含第一含金属膜以及层叠在该第一含金属膜上的由与第一含金属膜不同的第二含金属膜构成的防反射膜的导电膜；对导电膜进行构图；在构图后的导电膜的侧面形成侧壁保护膜；在形成有侧壁保护膜的状态下蚀刻去除构图后的导电膜中的防反射膜；以覆盖第一含金属膜和侧壁保护膜的方式形成钝化膜；以及在钝化膜形成使第一含金属膜的上表面的一部分露出的开口部。 | ||
| 搜索关键词： | 含金属膜 防反射膜 半导体装置 导电膜 保护膜 侧壁 钝化膜 蚀刻 局部电池效应 金属膜 开口部 上表面 去除 制造 腐蚀 金属 侧面 覆盖 试验 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：形成包含第一含金属膜以及层叠在该第一含金属膜上的防反射膜的导电膜，其中所述防反射膜由与所述第一含金属膜不同的第二含金属膜构成；对所述导电膜进行构图；在构图后的所述导电膜的侧面形成侧壁保护膜；在形成有所述侧壁保护膜的状态下蚀刻去除构图后的所述导电膜中的所述防反射膜；以覆盖所述第一含金属膜和所述侧壁保护膜的方式形成钝化膜；以及在所述钝化膜形成使所述第一含金属膜的上表面的一部分露出的开口部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
