[发明专利]基于二维材料的晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811562389.3 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671781B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;揣喜臣;杨冠华;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 在本公开中，提供一种基于二维材料的晶体管，包括：衬底；栅电极，位于衬底上；栅介质层，位于栅电极上；有源层，由二维材料构成，位于栅介质层上；偶极矩层，为薄膜包裹的液体材料，位于有源层上；源电极以及漏电极，位于有源层上；还提供一种基于二维材料的晶体管的制备方法，用于制备以上的基于二维材料的晶体管，基于二维材料的晶体管的制备方法，包括：步骤A：在绝缘层衬底上制备金属栅电极；步骤B：在步骤A所制备的金属栅电极上沉积栅介质层；步骤C：在步骤B所沉积的栅介质层上制备有源层；步骤D：在步骤C所制备的有源层上制作源电极和漏电极；以及步骤E：在步骤C所制备的有源层上制备偶极矩层，完成基于二维材料的晶体管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 材料 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维材料的晶体管，包括：衬底；栅电极，位于所述衬底上；栅介质层，位于所述栅电极上；有源层，由二维材料构成，位于所述栅介质层上；偶极矩层，为薄膜包裹的液体材料，位于所述有源层上；源电极，位于所述有源层上；以及漏电极，位于所述有源层上。
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