[发明专利]一种光电集成器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光电集成器件及其制备方法，包括：选取n型掺杂Si衬底；在衬底上依次生长n型掺杂Ge层、p型掺杂Si层、保护层；刻蚀保护层、p型掺杂Si层、n型掺杂Ge层形成依次隔离的发光器件区域、波导区域、探测器区域；在波导区域上及两侧淀积波导SiN膜；在衬底上、探测器区域上及两侧淀积探测器SiN膜；在发光器件区域上、衬底上、探测器SiN膜上形成电极，以完成光电集成器件的制备。本发明实施例通过使用Si基改性Ge材料，在同层实现发光器件、波导以及探测器的集成形成光电集成器件，该光电集成器件的光学和电子器件间工艺易兼容，且结构新颖、集成度高、生产成本低、工艺周期短。