[发明专利]一种Si基改性Ge单片同层结构的制备工艺

摘要

本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层结构的制备工艺，包括：制备衬底层；在衬底层上形成第一埋层、第二埋层、外延层和顶层；在顶层上形成保护层；刻蚀保护层、顶层和外延层，形成发光部分、锥形波导结构和探测部分；在锥形波导结构两侧形成隔离层；在锥形波导结构上形成覆盖层；在锥形波导结构外侧、隔离层外侧、覆盖层外侧和覆盖层上形成压应力膜；在探测部分上、探测部分外侧和探测部分外侧的第二埋层上形成张应力膜；在发光部分上、发光部分外侧的第二埋层上和张应力膜上形成金属层。本发明提出的工艺有效地解决了光电器件各部分不兼容的问题，实现了各部分禁带宽度的调节。