[发明专利]具有阻抗匹配电路的RF功率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201811562921.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109861654B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | P·佩伊洛特;O·勒姆比耶;E·克拉瓦克 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F3/189 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有阻抗匹配电路的RF功率晶体管及其制造方法。一种RF放大器的实施例包括具有控制端和第一和第二载流端的晶体管(120、220)，以及耦合在第一载流端与接地基准节点之间的并联电路。并联电路是输出预匹配阻抗调节并联电路，其包括串联耦合的第一并联电感(134、234、434)、第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')和并联电容器(142、142'、342、442)。第一并联电感(134、234、434)包括耦合在第一载流端与第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')之间的多个键合线，并且第二并联电感包括耦合在第一并联电感与并联电容器(142、142'、342、442)的第一端之间的集成电感器。并联电容器被配置成提供晶体管(120、220)的输出的电容谐波控制。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻抗匹配 电路 rf 功率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频RF放大器，其特征在于，包括：晶体管(120、220)，其具有控制端和第一和第二载流端；输出预匹配阻抗调节并联电路，其耦合在所述第一载流端与接地基准节点之间，其中所述输出预匹配阻抗调节并联电路包括至少串联耦合的第一并联电感(134、134'、234、434)、第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')和并联电容器(142、142'、342、442)；其中，所述第一并联电感(134、134'、234、434)包括耦合在所述第一载流端与所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')之间的多个键合线，并且所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')包括耦合在所述第一并联电感(134、134'、234、434)与所述并联电容器(142、142'、342、442)的第一端之间的集成电感器；并且所述并联电容器(142、342、442)被配置成提供所述晶体管(120、220)的输出的电容谐波控制。
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