[发明专利]包含多量子阱结构复合缓冲层的高阻缓冲层及制备方法在审
| 申请号： | 201811563596.0 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109830536A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;刘波亭;李智杰;郑元宇;刘超;张恺玄 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/12 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包含多量子阱结构复合缓冲层的高阻缓冲层,包括：由下至上依次设置的衬底、成核层、多量子阱结构复合缓冲层、高阻缓冲层；所述多量子阱结构复合缓冲层进一步包括：n组AlxGa1‑xN多量子阱层、K组AlyGa1‑yN超晶格层和/或m个AlzGa1‑zN单层；所述n组AlxGa1‑xN多量子阱层、K组AlyGa1‑yN超晶格层和/或m个AlzGa1‑zN单层中的平均Al组分递减。本发明还提供了包含多量子阱结构复合缓冲层的高阻缓冲层的制备方法，制作方法简单，无需二次外延，对反应室无污染，可控性强，可以有效减小缓冲层漏电流，从而改善器件高压特性和减小器件的无用功耗，适合实际生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱结构 复合缓冲层 高阻缓冲层 多量子阱层 超晶格层 单层 减小 制备 高压特性 生产应用 无用功耗 依次设置 成核层 反应室 缓冲层 可控性 漏电流 衬底 递减 制作 | ||
【主权项】：
1.一种包含多量子阱结构复合缓冲层的高阻缓冲层,其特征在于包括：由下至上依次设置的衬底、成核层、多量子阱结构复合缓冲层、高阻缓冲层；所述多量子阱结构复合缓冲层进一步包括：n组AlxGa1‑xN多量子阱层、K组AlyGa1‑yN超晶格层和/或m个AlzGa1‑zN单层；所述n组AlxGa1‑xN多量子阱层、K组AlyGa1‑yN超晶格层和/或m个AlzGa1‑zN单层中的平均Al组分递减。
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