[发明专利]应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片有效
| 申请号： | 201811563848.X | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109507006B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张杨;李弋洋 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01N21/00;G01M11/02;H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张素红 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片，逐层刻蚀方法包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为1.5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。VCSEL结构外延片，所述VCSEL结构外延片上的刻蚀区域是直径为1.5‑2.5mm的圆形，所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度为3‑5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 vcsel 结构 外延 光致发光 测试 刻蚀 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为1.5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。
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