[发明专利]一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法

摘要

本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量‑注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。

主权项

1.一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一目标薄膜，并于所述目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；其中，N为大于1的整数；确定待注入离子，并提供M组预设注入条件，其中，M组所述预设注入条件的区别在于预设注入能量值互不相同，M为大于1的整数；基于M组所述预设注入条件模拟所述待注入离子注入所述目标薄膜时的离子注入过程，以得到注入能量‑注入深度分布函数组；并根据所述注入能量‑注入深度分布函数组分别得到N个与所述注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定所述目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于所述总目标浓度分别得到N个与所述注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个所述注入剂量值之和的方差最小化；基于所述注入能量值及所述注入剂量值形成N组注入条件，并基于N组所述注入条件控制所述待注入离子注入至所述目标薄膜，以通过N次离子注入在纵向上叠加实现所述目标薄膜的纵向均匀掺杂；其中，N组所述注入条件的区别在于所述注入能量值及所述注入剂量值均互不相同。