[发明专利]一种碳布表面均匀生长碳纳米管前期的表面处理方法

摘要

本发明涉及一种碳布表面均匀生长碳纳米管前期的表面处理方法，属于碳布表面改性领域。本发明的制备方法包括以下步骤：步骤1：将商业碳布放入CVD炉中，高温下去除表面上浆剂，得到脱浆碳布。步骤2：将脱浆碳布浸渍于20％‑45％的H2O2溶液中，放于烘箱中加热至70‑90℃，保温1‑2h。清洗并烘干得到表面处理后的碳布。步骤3：将步骤2中得到的碳布平铺于0.05mol/L的Co(NO3)2的乙醇溶液中，浸渍10min，然后放入烘箱中烘干。步骤4：将步骤3中加载Co(NO3)2的碳布放于CVD炉中，将炉压抽至真空后，在高纯N2保护下将炉温升至500‑600℃后，通入C2H2、H2与N2的混合气体保温3‑20min后，关闭C2H2与H2，在N2的保护下冷却至室温后取出样品。本发明能提高碳布表面含氧官能团量，从而提高碳布表面生长CNTs的均匀性。

主权项

1.一种碳布表面均匀生长碳纳米管前期的表面处理方法，其特征在于，包括：对碳布进行高温脱浆处理，得脱浆碳布；采用双氧水在一定温度下对上述脱浆碳布进行表面氧化处理，得表面处理后的碳布；在上述表面处理后的碳布负载上金属催化剂，通过气相沉积法CVD在其表面均匀长上一层CNTs，即得CNTs/碳布增强体。