[发明专利]一种用于InP、GaN中痕量杂质浓度及分布的SIMS优化检测方法

摘要

本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤：在试样表面转移石墨烯；将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。

主权项

1.一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1、在试样表面转移石墨烯；步骤2、将表面转移石墨烯的所述试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；步骤3、从所述试样溅射出二次离子；步骤4、调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；步骤5、通过所述二次离子质谱仪内的质量分析器收集所述二次离子；步骤6、通过所述质量分析器和检测器对所述二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；步骤7、根据所述质谱图和所述二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。