[发明专利]带激光直写的分子束外延薄膜生长装置及方法在审
| 申请号： | 201811565248.7 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111349911A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;甘志银;东芳;梁康 | 申请（专利权）人： | 广东众元半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/48 | 分类号： | C23C16/48;C23C16/30;C23C16/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528251 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种带激光直写的分子束外延薄膜生长装置及方法，主要包括：2个及2个以上的发射源、反射高能电子衍射仪（RHEED）、RHEED对应的衍射接收屏、衬底安置台、其他在线监测装置、激光直写装置等，本发明的特点为在薄膜生长过程中利用激光直写对薄膜进行图形化。薄膜每沉积一定的厚度便用激光对其表面进行图形化，此过程反复进行，图形化的作用一为释放生长薄膜的应力，二为促使薄膜侧向外延生长，从而提高外延生长的质量和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 分子 外延 薄膜 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东众元半导体科技有限公司，未经广东众元半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811565248.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
