[发明专利]一种装配阴极溅射环的阳极层离子源在审
| 申请号： | 201811565354.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109536906A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郑军;周晖;赵栋才;肖更竭;徐嶺茂;蒋钊 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜;仇蕾安 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种装配阴极溅射环的阳极层离子源，属于离子源清洗、刻蚀和薄膜辅助沉积技术领域。所述离子源是在现有通用结构的阳极层离子源的阴极外环上紧密贴合安装阴极外环溅射环和/或在阴极内环上紧密贴合安装阴极内环溅射环获得；所述溅射环安装在阴极的溅射损伤面上，保障阴极不受溅射损害；通过采用场电子发射率高的材料、溅射产额低的材料和/或镀膜待掺杂的材料作为所述溅射环的材料，可实现提高离子源的离子束强度、延长了阳极层离子源的使用寿命以及薄膜掺杂辅助沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极 溅射 阳极层离子源 紧密贴合 阴极溅射 离子源 内环 装配 辅助沉积技术 电子发射率 离子源清洗 薄膜掺杂 辅助沉积 使用寿命 通用结构 掺杂的 离子束 镀膜 刻蚀 薄膜 损伤 损害 | ||
【主权项】：
1.一种装配阴极溅射环的阳极层离子源，其特征在于：所述离子源是在现有通用结构的阳极层离子源的阴极外环(1)上紧密贴合安装阴极外环溅射环(2)和/或在阴极内环(5)上紧密贴合安装阴极内环溅射环(6)获得；所述阴极外环溅射环(2)安装在阴极外环(1)的溅射损伤面上；所述阴极内环溅射环(6)安装在阴极内环(5)的溅射损伤面上；所述阴极外环溅射环(2)和阴极内环溅射环(6)的材料为金属和/或石墨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州空间技术物理研究所，未经兰州空间技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811565354.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
