[发明专利]定向自组装模板转移方法在审

专利信息
申请号: 201811565934.4 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN109698125A 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 张宝林;韦亚一;孟令款;张正平 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/308 分类号: H01L21/308;G03F7/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 韩建伟;谢湘宁
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种定向自组装模板转移方法。该方法包括以下步骤:在衬底上形成苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层并进行定向自组装,以使苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层形成垂直的相分离,得到自组装模板,自组装模板包括由聚苯乙烯构成的第一区域以及由聚碳酸酯构成的第二区域;去除第一区域,得到由第二区域构成的光刻图形结构,光刻图形结构具有光刻图案;将衬底表面氧化以形成缓冲层,并以光刻图形结构为掩膜刻蚀缓冲层,得到图形化缓冲层;以图形化缓冲层为掩膜刻蚀衬底,以在衬底表面形成纳米图形结构。上述方法无需中性层(无规共聚物材料),并且形成的缓冲层降低了刻蚀过程中对嵌段共聚物分子弱刻蚀特性的高度依赖,工艺简单且易于实施。
搜索关键词: 自组装 缓冲层 光刻图形 碳酸酯嵌段 衬底表面 第二区域 第一区域 共聚物层 模板转移 苯乙烯 图形化 衬底 掩膜 聚苯乙烯 纳米图形结构 刻蚀缓冲层 嵌段共聚物 无规共聚物 光刻图案 聚碳酸酯 刻蚀过程 刻蚀特性 垂直的 相分离 中性层 刻蚀 去除
【主权项】:
1.一种定向自组装模板转移方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,在衬底(10)上形成苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层并进行定向自组装,以使所述苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层形成垂直的相分离,得到自组装模板,所述自组装模板包括由聚苯乙烯构成的第一区域(20)以及由聚碳酸酯构成的第二区域(30);S2,去除所述第一区域(20),得到由所述第二区域(30)构成的光刻图形结构,所述光刻图形结构具有光刻图案;S3,将所述衬底(10)表面氧化以形成缓冲层(110),并以所述光刻图形结构为掩膜刻蚀所述缓冲层(110),得到图形化缓冲层(111);S4,以所述图形化缓冲层(111)为掩膜刻蚀所述衬底(10),以在所述衬底(10)表面形成纳米图形结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811565934.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top