[发明专利]定向自组装模板转移方法在审
申请号: | 201811565934.4 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109698125A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 张宝林;韦亚一;孟令款;张正平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;G03F7/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种定向自组装模板转移方法。该方法包括以下步骤:在衬底上形成苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层并进行定向自组装,以使苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层形成垂直的相分离,得到自组装模板,自组装模板包括由聚苯乙烯构成的第一区域以及由聚碳酸酯构成的第二区域;去除第一区域,得到由第二区域构成的光刻图形结构,光刻图形结构具有光刻图案;将衬底表面氧化以形成缓冲层,并以光刻图形结构为掩膜刻蚀缓冲层,得到图形化缓冲层;以图形化缓冲层为掩膜刻蚀衬底,以在衬底表面形成纳米图形结构。上述方法无需中性层(无规共聚物材料),并且形成的缓冲层降低了刻蚀过程中对嵌段共聚物分子弱刻蚀特性的高度依赖,工艺简单且易于实施。 | ||
搜索关键词: | 自组装 缓冲层 光刻图形 碳酸酯嵌段 衬底表面 第二区域 第一区域 共聚物层 模板转移 苯乙烯 图形化 衬底 掩膜 聚苯乙烯 纳米图形结构 刻蚀缓冲层 嵌段共聚物 无规共聚物 光刻图案 聚碳酸酯 刻蚀过程 刻蚀特性 垂直的 相分离 中性层 刻蚀 去除 | ||
【主权项】:
1.一种定向自组装模板转移方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,在衬底(10)上形成苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层并进行定向自组装,以使所述苯乙烯‑碳酸酯嵌段共聚物层形成垂直的相分离,得到自组装模板,所述自组装模板包括由聚苯乙烯构成的第一区域(20)以及由聚碳酸酯构成的第二区域(30);S2,去除所述第一区域(20),得到由所述第二区域(30)构成的光刻图形结构,所述光刻图形结构具有光刻图案;S3,将所述衬底(10)表面氧化以形成缓冲层(110),并以所述光刻图形结构为掩膜刻蚀所述缓冲层(110),得到图形化缓冲层(111);S4,以所述图形化缓冲层(111)为掩膜刻蚀所述衬底(10),以在所述衬底(10)表面形成纳米图形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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