[发明专利]一种新型二氧化铈基忆阻器材料的设计方法在审
| 申请号： | 201811566335.4 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111353206A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙璐;王建伟;肖伟;崔建东 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘茵 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种新型二氧化铈基忆阻器材料的设计方法，包括如下步骤：I.获取纯体相CeO |
||
| 搜索关键词： | 一种 新型 氧化 铈基忆阻 器材 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研工程技术研究院有限公司，未经有研工程技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811566335.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
