[发明专利]一种金属瓦敷设层压装置及方法在审
申请号: | 201811566551.9 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN111354834A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 王凯隆;程晓龙;顾鸿扬 | 申请(专利权)人: | 汉能移动能源控股集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048;H02S20/25 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 刘林涛 |
地址: | 100107 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种金属瓦敷设层压装置及方法,设置于真空腔室内,包括:载台,其上放置有波浪形的金属板衬底;加热装置,设置在所述载台上,所述加热装置可直接对所述金属板衬底加热;模压装置,设置在所述载台的上方,其上具有弹性不粘压头以及与所述弹性不粘压头相连的第一驱动装置;其中,所述弹性不粘压头与所述金属板衬底对应设置,所述第一驱动装置驱动所述弹性不粘压头靠近所述金属板衬底运动,以将封装件压制在所述金属板衬底上。本发明通过弹性不粘压头的设置有效解决了金属瓦敷设层压时产生的褶皱问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 敷设 层压 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的