[发明专利]SRAM单元设计方法有效
| 申请号： | 201811566658.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109614730B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张亮;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398;G06F119/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM单元设计方法，包括如下步骤：步骤1、根据现有核心器件模型，仿真出特定有源区尺寸W0和栅极尺寸L0的核心器件；步骤2、以基准器件尺寸W0/L0为中心，形成一个器件的阵列，将该器件的阵列作为测试结构，收取其电学性能，选择出最佳的有源区尺寸W和栅极尺寸L值，作为最终的器件；步骤3、采用优化后的W/L尺寸的核心器件，构建SRAM单元，根据最终确定的SRAM单元，建立基本陈列，设计测试结构，进行模型提取和表征，形成非标准SRAM单元的模型；步骤4、在非标准SRAM单元的模型基础上，进行存储器编译器的设计，并完成验证。本发明具有非标准尺寸、成本低、工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | sram 单元 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种RAM单元设计方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、根据现有核心器件模型，进行仿真计算，以标准SRAM的单管性能，单元性能为目标，仿真出特定有源区尺寸W0和栅极尺寸L0的核心器件，该核心器件尺寸定义为基准器件尺寸W0/L0；步骤2、以基准器件尺寸W0/L0为中心，分别作固定栅极尺寸L，有源区尺寸W的大小变化；及固定有源区尺寸W，栅极尺寸L的大小变化，形成一个器件的阵列，将该器件的阵列作为测试结构，收取其电学性能；根据所述器件的阵列的电学性能，从中选择出最佳的有源区尺寸W和栅极尺寸L值，作为最终的器件；步骤3、采用优化后的W/L尺寸的核心器件，构建SRAM单元，根据最终确定的SRAM单元，建立基本陈列，设计测试结构，进行模型提取和表征，形成非标准SRAM单元的模型；步骤4、在非标准SRAM单元的模型基础上，进行存储器编译器的设计，并完成验证。
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