[发明专利]一种二维铋氧硒原子晶体材料、及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201811566870.X | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109402739B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 成会明;乌斯曼·汗;唐磊;罗雨婷;刘碧录 | 申请（专利权）人： | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/64;C30B23/00;H01L29/24;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种二维铋氧硒原子晶体的制备方法，所述方法包括以下步骤：将含铋元素和硒元素的前驱体进行物理气相沉积，得到二维铋氧硒原子晶体材料，所述二维铋氧硒原子晶体材料为四方晶系。本发明采用物理气相沉积，解决了化学气相反应过程中铋源和硒源的配比不易控制的问题，得到的二维铋氧硒原子晶体材料纯度更高，空位缺陷更少，进而电子迁移率更高，电子迁移率≥135cm |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 铋氧硒 原子 晶体 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种二维铋氧硒原子晶体材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将含铋元素和硒元素的前驱体进行物理气相沉积，得到二维铋氧硒原子晶体材料。
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