[发明专利]蚀刻钨层的方法在审
| 申请号： | 201811567125.7 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109979819A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 阿米丽塔·B·莫里克;伊斯梅尔·埃姆什;乌迪·米特拉;罗伊·沙威;瑞加娜·弗雷德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C23F1/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了蚀刻钨的方法，所述方法包括：校平特征内和基板的顶表面顶上的钨层的第一顶表面；以及利用过氧化物(诸如过氧化氢)和强酸或强碱中的一种来蚀刻钨层以从基板顶上移除钨层的第一部分，用于在基板的顶表面下方的水平处形成钨层的第二顶表面。所述方法适合用于在基板的顶表面下方的水平处或在一或多个特征(诸如通孔或沟槽)内形成钨层的实质上水平或平坦的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 顶表面 钨层 基板 蚀刻钨层 水平处 强碱 蚀刻 方法适合 过氧化氢 过氧化物 基板顶 强酸 上移 通孔 校平 平坦 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻钨的方法，包括：校平特征内和基板的顶表面顶上的钨层的第一顶表面；以及利用过氧化氢和强酸或强碱中的一种来蚀刻所述钨层以从所述基板顶上移除所述钨层的第一部分，用于在所述基板的所述顶表面下方的水平处形成钨层的第二顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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