[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811567405.8 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109786533A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;魏柏林;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，P型电极的焊盘部分和多个分支手指均设置在P型半导体层上，绝缘层和主干手指依次层叠在所述凹槽内的N型半导体层上，主干手指的一端与所述P型电极的焊盘部分连接，主干手指的另一端向远离P型电极的焊盘部分的方向延伸，各个分支手指的一端分别与主干手指连接，各个分支手指的另一端向远离主干手指的方向延伸。本发明可以减小P型半导体层上设置的手指部分的面积，减少P型电极遮挡和吸收的光线，提升LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 主干 焊盘 绝缘层 发光二极管芯片 方向延伸 半导体技术领域 依次层叠 衬底 减小 源层 遮挡 制作 发光 芯片 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述N型电极包括焊盘部分和手指部分，所述手指部分的一端与所述N型电极的焊盘部分连接，所述手指部分的另一端向远离所述N型电极的焊盘部分的方向延伸；所述P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，所述P型电极的焊盘部分和所述多个分支手指均设置在所述P型半导体层上，所述绝缘层和所述主干手指依次层叠在所述凹槽内的N型半导体层上，所述主干手指的一端与所述P型电极的焊盘部分连接，所述主干手指的另一端向远离所述P型电极的焊盘部分的方向延伸，各个所述分支手指的一端分别与所述主干手指连接，各个所述分支手指的另一端向远离所述主干手指的方向延伸。
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