[发明专利]一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201811567619.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109608697A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周克清;王曙光;吴自力;席巧兰;韩瑄 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | C08K9/10 | 分类号： | C08K9/10;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/30;C08K3/04;C08K5/3492;C08K13/06;C08L63/00 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 金慧君 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含磷化合物改性MoS2纳米片层的制备方法及其应用，属于聚合物纳米复合材料领域。本发明的改性方法主要是：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将含磷化合物加入二硫化钼悬浮液中反应，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得含磷化合物改性的二硫化钼纳米片层。本发明的改性方法工艺步骤简单，可操作性强，制备成本低；采用含磷化合物对层状二硫化钼进行表面改性，增大了其层间距，阻止了其在聚合物基体中重新团聚堆积，提高了分散性；可作为阻燃剂应用于聚合物复合材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 含磷化合物 改性 制备 纳米片层 悬浮液 插层 洗涤 聚合物纳米复合材料 二硫化钼纳米片 聚合物复合材料 应用 聚合物基体 表面改性 插层处理 工艺步骤 溶剂热法 层间距 插层剂 分散性 阻燃剂 水解 堆积 团聚 | ||
【主权项】：
1.一种含磷化合物改性的MoS2纳米片层，其特征在于，所述改性的MoS2纳米片层的组分为MoS2纳米片层和含磷化合物，所述含磷化合物负载在MoS2纳米片层的表面，所述含磷化合物为(4‑羧丁基)三苯基膦、三聚氰胺磷酸盐、丁基三苯基溴化膦、十四烷基三甲基溴化磷和十四烷基三丁基溴化磷中的一种或几种。
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