[发明专利]一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法

摘要

本发明公开了一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法。所述调整方法包括：将氮化钽薄膜电阻器设于原子注入设备的工件放置区内；将原子注入设备的内部做真空处理，当真空压强达到第一真空压强阈值范围内时充入高于氩气纯度阈值的氩气，并保持原子注入设备的内部真空压强在第二真空压强阈值范围内；开启原子注入设备，氩气在电场被电离得到氩离子；在电场加速氩离子移动速率的情况下，氩离子加速撞击金属靶，得到脱离后的金属原子；在电场作用下，脱离后的金属原子持续注入到氮化钽薄膜电阻器的氮化钽薄膜上，以降低氮化钽薄膜电阻器的阻值。采用本发明所提供的调整方法能够实现氮化钽薄膜电阻器阻值由大到小的调整，降低氮化钽薄膜电阻器的电阻。

主权项

1.一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法，其特征在于，包括：将氮化钽薄膜电阻器设于原子注入设备的工件放置区内；所述原子注入设备内设有金属靶；将所述原子注入设备的内部做真空处理，当真空压强达到第一真空压强阈值范围内时，向所述原子注入设备的内部充入高于氩气纯度阈值的氩气，并保持所述原子注入设备的内部真空压强在第二真空压强阈值范围内；开启所述原子注入设备，所述氩气在电场被电离，得到氩离子；在所述电场加速所述氩离子移动速率的情况下，所述氩离子加速撞击所述金属靶，使得所述金属靶上的金属原子脱离，得到脱离后的金属原子；在所述电场作用下，所述脱离后的金属原子持续注入到所述氮化钽薄膜电阻器的氮化钽薄膜上，以降低所述氮化钽薄膜电阻器的阻值。