[发明专利]一种钙钛矿晶体/量子点复合闪烁体及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201811569753.9 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109851510B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 雷威;李青;张晓兵;王昕;朱卓娅 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C07C211/04 分类号: C07C211/04;C09K11/06;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01T1/20;G01T1/202
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种钙钛矿晶体/量子点复合闪烁体及其制备方法和应用,所述复合闪烁体的主体结构为钙钛矿晶体,在钙钛矿晶体中嵌入半导体量子点,半导体量子点与钙钛矿晶体界面处形成匹配的晶格结构,钙钛矿晶体厚度不低于5mm。其制备方法包括:(1)量子点溶液法制备;(2)量子点的配位体交换;(3)变温法外延生长钙钛矿晶体,最终得到所述复合闪烁体。其制备工艺简单,成本低廉,利用钙钛矿晶体高效率吸收X射线光子,并产生光生载流子,利用量子点的量子局域效应以及尺度调控效应,在量子点上实现载流子复合,产生高效的荧光辐射,最终实现高性能的X射线闪烁体间接探测。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 晶体 量子 复合 闪烁 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种钙钛矿晶体/量子点复合闪烁体,其特征在于,所述复合闪烁体的主体结构为钙钛矿晶体,在所述钙钛矿晶体中嵌入半导体量子点,所述半导体量子点与所述钙钛矿晶体界面处形成匹配的晶格结构,所述钙钛矿晶体的厚度不低于5mm。
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