[发明专利]溅射靶部件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811569762.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110317053B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 水藤耕介 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙) 11725 | 代理人： | 聂宁乐;胡瑾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种在含有高浓度的Ga的Ga－Sn－O系溅射靶部件中，降低体电阻率(等同于“体积电阻率”。)的有效方法。一种溅射靶部件，其含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO |
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| 搜索关键词： | 溅射 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶部件，含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的杂质构成，Ga以及Sn的原子比满足0.33≤Ga/(Ga+Sn)≤0.75，粉末X射线衍射测量中的SnO2相的峰面积ISn与整体峰面积I之比(ISn/I)为0.02以上。
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