[发明专利]垂直存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811570368.6 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110896080A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 白石千 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11575 | 分类号： | H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11548;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了垂直存储器件及其制造方法。一种垂直存储器件包括：具有外围电路互连的基板；堆叠在基板上的多个下字线；穿过所述多个下字线的多个垂直沟道结构；第一单元接触插塞，包括比所述多个下字线中的第一下字线的底表面低的底端并且连接到第一下字线；以及多个下绝缘层和多个第一下模图案，位于第一下字线下面并从基板起彼此交替地堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
