[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811571363.5 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109659366A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 黄敬源;邱汉钦;张铭宏;周春华;章晋汉 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括硅衬底、沟道层、势垒层、和栅极，所述硅衬底、所述沟道层、所述势垒层和所述栅极沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置，其中，所述高电子迁移率晶体管还包括由绝缘材料制成的应变层，所述势垒层背离所述沟道层的表面包括栅极区和增强区，所述栅极设置在所述栅极区，所述应变层包括层叠地设置在所述增强区的增强部，所述应变层的晶格常数与所述势垒层的晶格常数的失配率不低于0.5％。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法。所述高电子迁移率晶体管性能良好、且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 势垒层 沟道层 应变层 晶格常数 硅衬底 增强区 栅极区 绝缘材料 依次层叠 失配 制造 背离 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括硅衬底、沟道层、势垒层、和栅极，所述硅衬底、所述沟道层、所述势垒层和所述栅极沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管还包括由绝缘材料制成的应变层，所述势垒层背离所述沟道层的表面包括栅极区和增强区，所述栅极设置在所述栅极区，所述应变层包括层叠地设置在所述增强区的增强部，所述应变层的晶格常数与所述势垒层的晶格常数的失配率不低于0.5％。
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