[发明专利]基于图形补偿的光刻版及其制作方法在审
申请号: | 201811571815.X | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109634053A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 黄寓洋 | 申请(专利权)人: | 苏州苏纳光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于图形补偿的光刻版及其制作方法,所述制作方法包括:S1、在光刻版上形成第一版图;S2、采用具有第一版图的光刻版进行光刻工艺,获取光刻后的实际图形;S3、根据第一版图和光刻后的实际图形,得到基于横向刻蚀的图形差异;S4、根据图形差异对第一版图进行图形补偿,得到第二版图;S5、在光刻版上形成第二版图。本发明通过原始版图和实际图形的图形差异对原始版图进行补偿修正,将刻蚀工艺中横向刻蚀的图形尺寸补偿到光刻版版图中,能够有效地刻蚀形成理想的目标图形,适用于各种电子器件的工艺流程。 | ||
搜索关键词: | 光刻版 实际图形 图形差异 横向刻蚀 原始版图 光刻 制作 光刻版版图 补偿修正 尺寸补偿 电子器件 光刻工艺 刻蚀工艺 目标图形 工艺流程 有效地 刻蚀 | ||
【主权项】:
1.一种基于图形补偿的光刻版制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:S1、在光刻版上形成第一版图;S2、采用具有第一版图的光刻版进行光刻工艺,获取光刻后的实际图形;S3、根据第一版图和光刻后的实际图形,得到基于横向刻蚀的图形差异;S4、根据图形差异对第一版图进行图形补偿,得到第二版图;S5、在光刻版上形成第二版图。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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