[发明专利]一种A、B位共掺杂钛酸锶导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811572837.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109637694A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 单科;李楠;姚喆;孙丽达;王静;李自静;赵进宣 | 申请（专利权）人： | 红河学院 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01M4/90;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 661100 云南省*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种A、B位共掺杂钛酸锶导体材料，属于导体材料领域。本发明通过对钙钛矿型SrTiO3进行A位7mol％Y共掺杂、B位xmolCr共掺杂，得到分子式为Y0.07Sr0.93CrxTi1‑xO3‑δ的导体材料，其中x＝0.05～0.15，使SrTiO3的性能和结构进行了优化，增加了氧空位浓度提高了电导率，同时通过控制Cr离子的掺杂量，得到了结构为立方钙钛矿型的Y0.07Sr0.93CrxTi1‑xO3‑δ导体材料。实施例的结果表明，当x＝0.15时，900℃时，离子电导率可达0.02622S·cm‑1，材料的总电导率可达0.227S·cm‑1。 | ||
| 搜索关键词： | 导体材料 共掺杂 钛酸锶 电导率 离子电导率 立方钙钛矿 钙钛矿型 总电导率 掺杂量 氧空位 制备 离子 优化 | ||
【主权项】：
1.一种A、B位共掺杂钛酸锶导体材料，其特征在于，所述A、B位共掺杂钛酸锶导体材料为对钙钛矿型SrTiO3进行A位7mol％Y共掺杂、B位xmolCr共掺杂，所述A、B位共掺杂钛酸锶导体材料的分子式为Y0.07Sr0.93CrxTi1‑xO3‑δ，其中x＝0.05～0.15。
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