[发明专利]一种氮化镓激光器巴条解理的方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。

主权项

1.一种氮化镓激光器巴条解理的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，在样品的GaN外延层上制备完成包括脊型刻蚀工艺、P电极生长、绝缘层SiO2沉积的P面工艺，再将整片样品切割成适合巴条解理大小的矩形样品；步骤2，通过光刻在样品表面形成平行于解理边的大解理导向槽的光刻图形、小解理导向槽的光刻图形以及垂直于解理边的单管隔离导向槽的光刻图形，形成的小解理导向槽的光刻图形在距离脊型结构的±（3μm~8μm）的位置处被中断；步骤3，以光刻胶为掩膜进行SiO2的刻蚀，从而将图形转移至SiO2硬掩膜上，并通过有机清洗的方式将光刻胶清洗除尽；步骤4，以SiO2为硬掩膜进行GaN的刻蚀，刻蚀深度大于整个GaN外延层厚度，并且将小解理导向槽刻蚀成V型沟槽；步骤5，将样品的P面进行保护，再进行背面的减薄抛光、刻蚀、电极生长工艺；步骤6，通过激光切割沿大解理导向槽的中心区域进行切割，并通过loomis解理机的滚轮沿着大、小解理导向槽进行压滚，从而得到巴条腔面。