[发明专利]单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法有效
| 申请号： | 201811574130.0 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109338458B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王金铎;啜艳明;郭宾;胡士伟;周倩 | 申请（专利权）人： | 保定顺天新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 074100 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，包括以下步骤：S1、将被腐蚀的导流筒放入高温炉中，进行高温处理；S2、使用刀具处理导流筒的外表面，对导流筒的外表面进行切削，保证其外表面平整；S3、将步骤S2切削后的导流筒再次放置在化学气相沉积炉中进行高温处理，其中化学气相沉积炉的温度为1060‑1070℃，保温40‑50小时，碳源性气体的滞留时间不超过20秒。本发明采用上述单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，操作方法简单，可以提高导流筒整体使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 炉用炭炭 导流 修复 腐蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将被腐蚀的导流筒放入高温炉中，进行高温处理；S2、使用刀具处理导流筒的外表面，对导流筒的外表面进行切削，保证其外表面平整；S3、将步骤S2切削后的导流筒再次放置在化学气相沉积炉中进行高温处理，其中化学气相沉积炉的温度为1060‑1070℃，保温40‑50小时，碳源性气体的滞留时间不超过20秒。
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