[发明专利]超高精度R-2R电阻网络开关阵列有效
| 申请号： | 201811576246.8 | 申请日： | 2018-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109586725B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杨平;岑远军;齐旭;李大刚;李永凯 | 申请（专利权）人： | 成都华微科技有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/66 | 分类号： | H03M1/66 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 超高精度R‑2R电阻网络开关阵列，涉及集成电路。本发明包括参考高电平接入线、参考低电平接入线、电压输出线、零位开关组和至少两个开关单元，每一开关单元包括第二电阻和由两个并联的MOS管组成的第一开关管组，每一开关单元还包括第二开关管组，第二开关管组亦由两个并联的MOS管组成，第二开关管组的并联连接点连接至第一开关管组的并联连接点；所述开关单元按照所在权重位分为低位段开关单元和高位段开关单元。本发明能够实现更高位的精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 精度 电阻 网络 开关 阵列 | ||
【主权项】：
1.超高精度R‑2R电阻网络开关阵列，包括参考高电平接入线、参考低电平接入线、电压输出线、零位开关组和至少两个开关单元，每一开关单元包括第二电阻和由两个并联的MOS管组成的第一开关管组，其特征在于，每一开关单元还包括第二开关管组，第二开关管组亦由两个并联的MOS管组成，第二开关管组的并联连接点连接至第一开关管组的并联连接点；所述开关单元按照所在权重位分为低位段开关单元和高位段开关单元；所有低位段开关单元中，第一开关管组的两个MOS管的源极分别与第一低位参考低电平输入线和第一低位参考高电平输入线连接，零位开关组的源极分别与第一低位参考低电平输入线和第一低位参考高电平输入线连接；第二开关管组的两个MOS管的源极分别与第二低位参考低电平输入线和第二低位参考高电平输入线连接；所有高位段开关单元中，第一开关管组的两个MOS管的源极分别与第一高位参考低电平输入线和第一高位参考高电平输入线连接，第二开关管组的两个MOS管的源极分别与第二高位参考低电平输入线和第二高位参考高电平输入线连接。
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