[发明专利]半导体器件、其制造方法、集成电路及电子设备有效
| 申请号： | 201811577677.6 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109768087B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;黄伟兴;贾昆鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件、其制造方法、集成电路及电子设备，器件包括：衬底；有源区，该有源区包括依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；绕沟道层的外周形成的栅堆叠；绕栅堆叠和有源区外周的中间介质层和第二导电层。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中竖直型器件的性能有待提升的技术问题。提供了一种性能较优的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；设置于衬底上的有源区，该有源区包括依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；绕沟道层的外周形成的栅堆叠，栅堆叠包括栅介质层和栅导体层；绕栅堆叠和有源区外周的中间介质层和第二导电层。
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