[发明专利]一种QCM晶片的表面修饰方法

摘要

本发明涉及一种QCM晶片的表面修饰方法，将表面镀金的QCM晶片用3‑巯基丙酸乙酯的乙醇溶液浸润，使用乙醇清洗表面并自然风干；用带有活性酯基团的光活性聚合物溶液浸润处理后的QCM晶片，使用条形或网格形掩膜覆盖晶片表面，在紫外光诱导下聚合物与晶片表面发生键合，形成阵列结构；使用无水乙醇和去离子水先后清洗晶片表面，除去未反应键合的聚合物；使用含有为抗体的缓冲溶液浸泡晶片，使用去离子水清洗晶片，并将晶片保存于缓冲溶液中备用。本发明的优点在于：通过光诱导枝接技术在QCM晶片表面制备具有一定图形结构的聚合物薄膜，并进一步将抗体分子枝接与薄膜表面，形成能够通过抗体‑抗原反应捕获特定生物分子的“天线”阵列，灵敏度高。

主权项

1.一种QCM晶片的表面修饰方法，其特征在于：所述表面修饰方法包括如下步骤：步骤1：将表面镀金的QCM晶片用含有0.5％‑1.5％质量分数3‑巯基丙酸乙酯的乙醇溶液浸润0.5‑1.5h，再使用乙醇清洗表面并自然风干；步骤2：用质量分数为0.4‑0.6％的带有活性酯基团的光活性聚合物的乙醇溶液浸润步骤1处理后的QCM晶片，然后使用条形或网格形掩膜覆盖晶片表面，在波长为240‑260nm的紫外光诱导下聚合物与晶片表面发生键合，形成阵列结构；步骤3：使用无水乙醇和去离子水先后清洗步骤2处理后的QCM晶片表面，除去未反应键合的聚合物；步骤4：在25±5℃下使用含有为0.05％‑0.15％质量百分比抗体且pH为8.0‑8.5的0.005‑0.015mol/L缓冲溶液浸泡步骤3处理后的QCM晶片11‑13h，然后使用去离子水清洗晶片，并将晶片在4±1℃下保存于pH＝7.0‑8.0的0.01M缓冲溶液中备用。