[发明专利]内嵌eflash大容量存储器电路设计制备方法

摘要

内嵌eflash大容量存储器电路设计制备方法，涉及集成电路芯片设计和制备技术。本发明包括下述步骤：1)在设计阶段，依据芯片面积状况，在既定数量的存储器以外，确定可增设冗余存储器数量，得到存储器总量，所述存储器为内嵌eflash IP存储器；2)在制片阶段，按照步骤1)确定的存储器总量，在芯片内容设置存储器；3)测试各存储器的优劣状况，在各存储器中择优选择以确定整体良品率最优的存储器连接方案，固化封装。本发明可在最大限度保证芯片版图尺寸的前提下，大大提升芯片的良品率。

主权项

1.内嵌eflash大容量存储器电路设计制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)在设计阶段，依据芯片面积状况，在既定数量的存储器以外，确定可增设冗余存储器数量，得到存储器总量，所述存储器为内嵌eflash IP存储器；2)在制片阶段，按照步骤1)确定的存储器总量，在芯片内容设置存储器；3)测试各存储器的优劣状况，在各存储器中择优选择以确定整体良品率最优的存储器连接方案，固化封装。