[发明专利]薄膜体声波滤波器及其封装方法有效
| 申请号： | 201811580862.0 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109660227B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 范亚明;刘斌;朱璞成;刘芹篁;陈诗伟;黄蓉 | 申请（专利权）人： | 江西省纳米技术研究院 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/56;H03H9/58;H03H3/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种薄膜体声波滤波器及其封装方法，所述滤波器包括硅衬底、沉积于硅衬底正面上的多层绝缘层、沉积于最顶层的绝缘层上的FBAR器件、背腔和至少两个导电柱，FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极；背腔自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成，且背腔对应的位置为压电振荡有效区域，导电柱从硅衬底的背面引出上、下电极。本发明具有增加FBAR器件机械牢固性、提高FBAR器件性能、节约电极引出空间，可靠性更高、可以保护FBAR器件的压电振荡有效区域等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 滤波器 及其 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波滤波器，其特征在于，包括：硅衬底，其包括相对的正面和背面，多层绝缘层，沉积于所述硅衬底的正面上；FBAR器件，沉积于最顶层的所述绝缘层上，所述FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极；背腔，其自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成，且所述背腔对应的位置为压电振荡有效区域；至少两个导电柱，所述导电柱从硅衬底的背面引出所述上电极和下电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西省纳米技术研究院，未经江西省纳米技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811580862.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种声表面滤波器加工工艺及声表面滤波器
- 下一篇：一种印刷电路板及其生产方法
