[发明专利]半导体失效定位测试单元及其失效定位方法有效
| 申请号： | 201811580999.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698138B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李金 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其中，所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层。本发明还公开了一种半导体失效定位方法。本发明的半导体失效定位测试单元及其失效定位方法使用现有失效定位分析仪器能快速、准确抓取故障点(热点/Hot Spot)位置的半导体失效定位测试单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 失效 定位 测试 单元 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其特征在于：所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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