[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法及制备得到的石墨烯薄膜在审

专利信息
申请号: 201811581132.2 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN109534329A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 赵武;贾玮萍;陈诚;余润玮;张志勇;李强;马晓龙;闫军锋;贠江妮 申请(专利权)人: 西北大学
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 孙雅静
地址: 710069 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种石墨烯薄膜的制备方法及制备得到的石墨烯薄膜,包括:采用磁控溅射法将Ni原子于Cu衬底上形成薄膜得到Ni/Cu衬底;采用CVD法在所述的Ni/Cu衬底上制备石墨烯薄膜;所述Ni原子在所述Cu衬底上溅射量为1.3%~8.1%。所述的CVD法经过高温反应后再经过快速冷却进行石墨烯薄膜的制备;所述的高温反应的反应温度为1050℃;所述的快速冷却的冷却速率范围为25~28℃/min。通过调节溅射时间来调节Ni原子的组成,通过改变Ni/Cu衬底表面的Ni原子成分来调节石墨烯薄膜的层数。铜衬底的催化特性可以使碳原子的沉积均匀化,镍原子可以提高Ni/Cu衬底表面的催化活性。快速冷却有助于制备高质量的石墨烯薄膜,比传统的二元合金基催化剂更经济、更容易获得。
搜索关键词: 石墨烯薄膜 制备 衬底 快速冷却 衬底表面 高温反应 溅射 磁控溅射法 催化活性 催化特性 二元合金 基催化剂 传统的 均匀化 镍原子 碳原子 沉积 铜衬 薄膜 冷却
【主权项】:
1.一种石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括:采用磁控溅射法将Ni原子于Cu衬底上形成薄膜得到Ni/Cu衬底;所述Ni原子在所述Cu衬底上溅射量为1.3%~8.1%;采用CVD法在所述的Ni/Cu衬底上制备石墨烯薄膜;所述的CVD法经过高温反应后再经过快速冷却进行石墨烯薄膜的制备;所述的高温反应的反应温度为1050℃;所述的快速冷却的冷却速率为25~28℃/min。
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