[发明专利]一种检测离子注入腔中中子含量的装置和方法有效
| 申请号： | 201811582671.8 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109633734B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测离子注入腔中中子含量的装置，包括离子注入腔、离子源、数据收集模块和处理模块，所述离子注入腔中放置表面涂有光刻胶的衬底，所述离子源对所述衬底中的光刻胶进行离子注入，离子注入过程中产生的中子与光刻胶中C、H、O元素的原子核相互作用，产生γ射线，所述数据收集模块用于测量所述离子注入腔中γ射线的强度，并将该强度传输至所述处理模块，所述处理模块根据γ射线的强度计算出离子注入过程中产生的中子含量。本发明提供的一种检测离子注入腔中中子含量的装置和方法，通过测量Υ射线的强度，进而可以测量出高能离子注入过程中产生的中子含量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 离子 注入 中子 含量 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测离子注入腔中中子含量的装置，其特征在于，包括离子注入腔、离子源、数据收集模块和处理模块，所述离子源用于对所述离子注入腔进行离子注入，所述数据收集模块同时连接所述离子注入腔和离子源；所述离子注入腔中放置表面涂有光刻胶的衬底，所述离子源发射离子束，对所述衬底中的光刻胶进行离子注入，离子注入过程中产生的中子与光刻胶中C、H、O元素的原子核相互作用，产生Υ射线，所述数据收集模块用于测量所述离子注入腔中Υ射线的强度，并将Υ射线的强度传输至所述处理模块，所述处理模块根据Υ射线的强度计算出离子注入过程中产生的中子含量。
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