[发明专利]基于N×M介质谐振天线阵列的太赫兹探测器和方法有效

专利信息
申请号: 201811582676.0 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN109659707B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 马建国;周绍华 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01Q21/06 分类号: H01Q21/06;H01Q23/00;G01N21/3581
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 伍时礼;杨晓松
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开基于N×M介质谐振天线阵列的太赫兹探测器,N×M片上介质谐振太赫兹天线阵列与匹配网络相连,匹配网络与NMOSFET的源极相连,NMOSFET的栅极依次与第一偏置电阻和第一偏置电压相连,第一偏置电阻与栅极之间相连有第三传输线,NMOSFET的漏极与第一隔直电容相连,第一隔直电容的另一端与低噪声前置放大器相连,第一隔直电容与低噪声前置放大器之间还相连有第二偏置电阻以及第二偏置电压,低噪声前置放大器还设有电压反馈回路,本发明还公开了关于N×M片上介质谐振太赫兹天线阵列的设计方法。相对现有技术,本发明技术方案有效降低片上太赫兹天线损耗以及提高片上太赫兹天线增益和辐射效率。
搜索关键词: 基于 介质 谐振 天线 阵列 赫兹 探测器 方法
【主权项】:
1.基于N×M介质谐振天线阵列的太赫兹探测器,其特征在于,包括N×M片上介质谐振太赫兹天线阵列,所述N×M片上介质谐振太赫兹天线阵列与匹配网络相连,所述匹配网络与NMOSFET的源极相连,所述NMOSFET的栅极依次与第一偏置电阻和第一偏置电压相连,所述第一偏置电阻与所述栅极之间相连有第三传输线,所述NMOSFET的漏极与第一隔直电容相连,所述第一隔直电容的另一端与低噪声前置放大器相连,所述第一隔直电容与所述低噪声前置放大器之间还相连有第二偏置电阻以及第二偏置电压,所述低噪声前置放大器还设有电压反馈回路。
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