[发明专利]一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811583090.6 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN109487338B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 徐晓峰;蒙奕帆;桑景新 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 代理人: 黄志达
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法,包括:在c‑Al2O3衬底上磁控溅射金属钒薄膜;然后在空气中进行氧化处理,自然冷却,即得。本发明制备的二氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达4.6个数量级,并且薄膜结晶取向为(020)单晶取向。本发明提供了一种单晶二氧化钒薄膜的简单制备方法,且能与其它半导体工艺相互兼容。
搜索关键词: 一种 单晶二 氧化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法,包括:(1)在c‑Al2O3衬底上磁控溅射金属钒薄膜;(2)将上述金属钒薄膜在空气中进行氧化处理,自然冷却,即得单晶二氧化钒薄膜。
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