[发明专利]一种高致密度细晶粒钨基材料的制备方法在审
| 申请号： | 201811584881.0 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109457159A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 章林;李星宇;董岩皓;曲选辉;秦明礼;王光华;龙莹;邬均文 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;C22C32/00;C22C1/05;C22C1/10 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于粉末冶金技术领域，涉及一种高致密度细晶粒钨基材料的制备方法，方法为：S1.将稀土族的盐和聚合物用液相化学法制备粉末前驱体：S2.采用高能分散进行解团聚处理得到分散均匀的掺杂钨粉，再进行冷等静压成形,得到成形坯；S3.采用两步烧结工艺制备高高致密度细晶粒钨基材料。基于无压烧结，强化金属钨烧结过程和控制钨晶粒长大。抑制烧结后期的晶粒长大来源于两个方面：一是利用第二相的弥散强化效果，二是低温两步烧结法利用晶界扩散和晶界迁移动力学的差异以控制晶粒长大。不仅可以降低金属钨的烧结致密化温度，还能有效防止钨晶粒的非均匀长大，获得具有高密度、晶粒小、热力学性能高的纳米晶均匀结构的金属钨材料。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒长大 钨基材料 金属钨 细晶粒 制备 晶粒 粉末冶金技术 冷等静压成形 弥散强化效果 粉末前驱体 两步烧结法 烧结致密化 液相化学法 分散均匀 工艺制备 晶界扩散 均匀结构 两步烧结 烧结过程 无压烧结 聚合物 烧结 成形坯 第二相 动力学 非均匀 解团聚 纳米晶 热力学 稀土族 晶界 钨粉 掺杂 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种高致密度细晶粒钨基材料的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1.将稀土族的盐和聚合物采用液相化学法制备得到粉末前驱体：S2.采用高能分散进行解团聚处理得到分散均匀的得到氧化物掺杂钨粉，接着进行冷等静压成形，得到成形坯；S3.采用两步烧结工艺制备得到高致密度细晶粒钨基材料。
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