[发明专利]具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法

摘要

本发明属于材料应用技术领域，具体涉及一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法。上述器件构筑方法如下，在半导体基底上部分沉积绝缘层，在未沉积绝缘层的部分进行图案化处理外延生长半导体纳米线阵列，采用湿法转移技术将二维层状材料转移到上述阵列上，利用水分蒸发过程中的毛细作用诱导二维层状材料在半导体纳米阵列上产生周期性应变，最后通过电子束曝光结合热蒸镀构筑电极，完成器件的构筑。这种具有周期性应变的范德华异质结型光电器件为设计高性能的光电探测器提供了新的思路，具有重大的商业价值和深远的现实意义。

主权项

1.一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器，其特征在于，所述异质结型光电探测器包括：源电极，半导体层，二维层状材料，一维半导体纳米阵列，绝缘层和漏电极；其中：所述源电极设置在所述半导体层上端面的一端，所述绝缘层设置在与所述源电极对称的所述半导体层上端面的另一端，所述一维半导体纳米阵列设置在所述源电极和绝缘层之间的所述半导体层的上端面上，所述二维层状材料覆盖在所述一维半导体纳米阵列和所述的绝缘层上，所述漏电极设置在覆盖所述绝缘层的二维层状材料上。