[发明专利]一种低导通电阻的异质结半导体器件在审
| 申请号： | 201811585004.5 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111354777A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;张弛;肖魁;孙贵鹏;王德进;魏家行;卢丽;孙伟锋;陆生礼 | 申请（专利权）人： | 东南大学;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低导通电阻的异质结半导体器件，包括：金属漏电极，衬底，缓冲层，缓冲层内设有电流阻挡层，在缓冲层上设有栅极结构，所述栅极结构包括金属栅电极，GaN柱，AlGaN层，所述金属栅电极上方设有金属源电极，所述电流阻挡层包括多级电流阻挡层且各层的对称中心共线，各级电流阻挡层环形内口自上而下逐级减小，有效限制了峰值电场并使其远离沟道，保证了器件耐压能力，同时减少了电流损失，AlGaN层和GaN柱在缓冲层上方呈蜂窝状分布，产生多段沟道电流，有效提高了电流能力，使得器件在导通时获得更高的开态电流，从而降低了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 异质结 半导体器件 | ||
【主权项】：
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