[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体有效
| 申请号： | 201811585112.2 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109989110B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋;藤仓序章;柴田真佐知;堀切文正 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;C30B25/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着1‑100轴的方向以及沿着与1‑100轴垂直的11‑20轴的方向中的任一方向的(0001)面相对于主面弯曲成凹球面状，且沿着1‑100轴的方向以及沿着与1‑100轴垂直的11‑20轴的方向中的任一方向的(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分(0001)面的曲率半径不同。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 及其 制造 方法 层叠 以及 结构 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着<1‑100>轴的方向以及沿着与所述<1‑100>轴垂直的<11‑20>轴的方向中的任一方向的所述(0001)面相对于所述主面弯曲成凹球面状，沿着所述<1‑100>轴的方向以及沿着与所述<1‑100>轴垂直的所述<11‑20>轴的方向中的任一方向的所述(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分所述(0001)面的曲率半径不同。
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