[发明专利]一种TMR全桥磁传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811585229.0 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109471051A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;王立乾;朱家训 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲区唐家*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种TMR全桥磁传感器，包括：基片、一次制备于所述基片上的4组TMR单元、一次制备于所述基片上的永磁层对，所述永磁层对为所述TMR单元提供偏置场；4组TMR单元桥式连接形成全桥结构；相邻的TMR单元的永磁层对的矫顽场不同，相对的TMR单元的永磁层对的矫顽场相同。本发明采用矫顽场不同的永磁层为不同的TMR单元提供偏置场，从而通过特定方式的充磁后，得到磁化方向相反的两种永磁层，可以使不同位置的TMR单元的自由层的磁矩方向有所不同，使得对应位置上的TMR单元对同一敏感方向有相反的响应，对外加场形成相反的磁阻相应趋势，动态范围更宽，并且可以在单一芯片上构成全桥结构，大大降低了生产工艺的难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁层 矫顽场 制备 磁传感器 偏置场 磁化方向 单一芯片 单元桥式 全桥结构 桥结构 自由层 充磁 磁矩 磁阻 生产工艺 敏感 响应 | ||
【主权项】：
1.一种TMR全桥磁传感器，包括：基片和设置于所述基片上的TMR单元，所述TMR单元包括自由层、钉扎层和隧道层，所述TMR单元的两侧设置有为其提供偏置场的永磁层，4组桥式连接的TMR单元形成全桥结构；其特征在于：所述TMR单元的钉扎层的磁矩方向相同，相邻的TMR单元的自由层的磁矩方向相反，相对的TMR单元的自由层的磁矩方向相同。
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