[发明专利]像素电极结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种像素电路结构及其制作方法。该像素电路结构包括：衬底基板、设于衬底基板上的第一金属层、设于第一金属层及衬底基板上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于半导体层上的第二金属层、设于第二金属层和半导体层上的钝化层以及设于钝化层上的透明金属层；第一金属层包括第一栅极及与第一栅极间隔设置的公共电极线；第二金属层包括对应第一栅极设置且相互间隔的第一源极和第一漏极；透明金属层包括浮置电极；在公共电极线与第一源极交叠的区域形成有深浅孔，浮置电极通过深浅孔电性连接第一源极和公共电极线，深浅孔为具有依次连通的深孔、第一浅孔和第二浅孔的三层结构，能够防止浮置电极在深浅孔中出现断线。

主权项

1.一种像素电路结构，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的第一金属层(20)、设于所述第一金属层(20)及衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的半导体层(40)、设于所述半导体层(40)上的第二金属层(50)、设于所述第二金属层(50)和半导体层(40)上的钝化层(70)以及设于所述钝化层(70)上的透明金属层(80)；所述第一金属层(20)包括第一栅极(21)及与所述第一栅极(21)间隔设置的公共电极线(22)；所述第二金属层(50)包括对应所述第一栅极(21)设置且相互间隔的第一源极(51)和第一漏极(52)；所述透明金属层(80)包括浮置电极(81)；所述第一源极(51)与所述公共电极线(22)部分交叠，在所述公共电极线(22)与第一源极(51)交叠的区域形成有深浅孔(100)，所述深浅孔(100)包括穿越所述钝化层(70)及栅极绝缘层(30)并暴露出所述公共电极线(22)的一部分的深孔(101)、穿越所述深孔(101)一侧的钝化层(70)及部分栅极绝缘层(30)并与所述深孔(101)连通的第一浅孔(102)及穿越所述第一浅孔(102)远离所述深孔(101)的一侧的钝化层(70)且与第一浅孔(102)连通并暴露出第一源极(51)的一部分的第二浅孔(103)；所述浮置电极(81)通过所述深浅孔(100)电性连接所述第一源极(51)和公共电极线(22)。