[发明专利]一种硅环加工的工艺在审
| 申请号： | 201811585962.2 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111354634A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;史训达 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅环加工的工艺。该工艺包括以下步骤：(1)将硅环依次进行外径研磨、双面研磨、加工中心做硅环一面上的内径和定位孔、加工中心做硅环另一面上的卡槽，其中加工中心做卡槽时，先用目数在10‑1000目之间的刀具和对应的加工程序加工出卡槽，然后用目数在1000‑3000目之间的刀具和对应的抛光程序抛光卡槽；(2)将机加工好的硅环依次进行腐蚀、双面抛光、清洗。采用本发明的工艺可以制造卡槽表面质量非常高的的硅环，硅环尺寸精度可控，省时省力，无污染，无毒害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
