[发明专利]一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法

摘要

本发明为一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法。该二极管通过在全反射镜和半导体中插入一层较厚的低折射率材料，从而使大角度的入射光通过全内反射而非金属反射，且通过散射结构的进一步散射后逃逸出LED。本发明可以减少金属反射镜的吸收，反射率增加，从而提高LED的LEE。

主权项

1.一种具有光散射结构和ODR的发光二极管，其特征为所述的发光二极管为有以下三种结构之一的发光二极管：第一种，由下至上依次包括：金属反射层、DBR层、低折射率介质层、衬底、图形化衬底层(PSS)、N‑型半导体传输层、发光层、P‑型半导体传输层、电流扩展层、P‑型电极；所述的DBR层包括交替生长的低折射率层和高折射率层；并且，N‑型半导体传输层存在着自身面积10～20％的曝露部分，厚度为0.5～1.5μm，上面有N‑型电极；所述的N‑型电极的面积为N‑型半导体传输层中曝露部分的10～80％；第二种，由下至上依次包括：衬底、图形化衬底层、N‑型半导体传输层、发光层、P‑型半导体传输层、电流扩展层、低折射率介质层、DBR层、金属反射层，所述的DBR层包括交替生长的低折射率层和高折射率层；N‑型半导体传输层存在着自身面积10～20％的曝露部分，厚度为0.5～1.5μm，上面有N‑型电极，所述的N‑型电极的面积为N‑型半导体传输层中曝露部分面积的10～80％；并且，在所述低折射率层介质层和DBR层均设有圆孔，圆孔孔径为20～100nm，圆孔间隔为10～60nm；第三种，由上至下依次包括：图形化N‑型半导体材料层表面、N‑型半导体传输层、发光层、P‑型半导体传输层、电流扩展层、低折射率介质层、DBR层和金属反射层；所述的图形化N‑型半导体材料层表面还分布有N‑型电极，N‑型电极的面积为图形化N‑型半导体材料层表面面积的5～30％；所述的DBR层包括交替生长的低折射率层和高折射率层；在所述低折射率层介质层和DBR层均设有圆孔，圆孔孔径为20～100nm，圆孔间隔为10～60nm；金属反射层同时还覆盖在圆孔底部和侧壁上。