[发明专利]一种晶圆级真空封装方法在审
申请号: | 201811586188.7 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109761188A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 韩磊;赵照 | 申请(专利权)人: | 合肥芯福传感器技术有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种晶圆级真空封装方法,包括以下步骤:(1)分别对盖板和电路晶圆预处理:在盖板上以阵列形式生长吸气剂和第一金属键合环;在电路晶圆上以阵列形式生长MEMS传感区、焊盘和第二金属键合环,第二金属键合环生长在MEMS传感区周围;(2)对预处理后的盖板按照设定尺寸切割成若干单颗封盖并进行检测;(3)将检测合格的若干单颗封盖与电路晶圆置入真空设备中,激活盖板上的吸气剂;(4)通过机械手臂将单颗封盖逐一放在电路晶圆的对应位置,键合封盖与电路晶圆;(5)将键合后的封盖和电路晶圆放置真空环境中并切割成独立的芯片单元,再将芯片单元进行后段封装工艺。本发明节省封装材料、提高了封装良率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 电路 封盖 盖板 金属键合 预处理 芯片单元 真空封装 阵列形式 传感区 吸气剂 键合 种晶 生长 切割 封装材料 封装工艺 机械手臂 真空环境 真空设备 检测 焊盘 后段 良率 置入 封装 激活 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆级真空封装方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)分别对盖板和电路晶圆预处理:在盖板上以阵列形式生长吸气剂和第一金属键合环;在电路晶圆上以阵列形式生长MEMS传感区、焊盘和第二金属键合环,第二金属键合环生长在MEMS传感区周围;第一金属键合环与第二金属键合环相匹配;(2)对预处理后的盖板按照设定尺寸切割成若干单颗封盖并进行检测;(3)将检测合格的若干单颗封盖与电路晶圆置入真空设备中,激活盖板上的吸气剂;(4)通过机械手臂将单颗封盖逐一放在电路晶圆的对应位置,键合封盖与电路晶圆;(5)将键合后的封盖和电路晶圆放置真空环境中并切割成独立的芯片单元,再将芯片单元进行后段封装工艺。
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